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詢價單號：2001840994
列印日期：2026/10/28
彙總號碼：A512005235
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| 詢/報價單
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本院擬購下列物品，請 貴公司於 2026
年 10
月 29
日前提供報價。
此致：上網公告專用
報價條件： □ 新台幣(含稅) □ 新台幣(未稅) □外幣：
國貿條款：□FOB □FCA □DDU □DDP □其他
機場／港口：
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| 項次 | 料號 | 數量 | 單位 | 需用日 | 小計 |
| | 品名規格 | | | 單價 | |
| 規格 | |
| 10 |
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6 |
PCS |
20261218 |
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| | 氮化鎵元件磊晶於碳化矽基板 | | |
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| | 1. GaN-on-SiC 磊晶片規格 :
SiN : 2.0 ± 1.0 nm
N-GaN : 250 ± 10% nm, N-type (Nn~5e18 cm-3)
P-GaN : 500 ± 10% nm, P-type (Mg ~2e19 cm-3)
N-GaN : 2500 ± 10%nm, N-type (Nn<5e16 cm-3)
N-GaN : 300 ± 10% nm, N-type (Nn~5e18 cm-3)
AlN(nucleation) : Strain-adjusted thickness
Substrate : 4” SiC ; 500 mm; on-axis, semi-insulating
2. 磊晶層委託開發實驗報告
詳附件採購規範書
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廠商簽章：
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總價合計：
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| 聯絡人： |
電話： |
詢價條款：
◆採購承辦人：王佩茹(e-mail：abbeywang@itri.org.tw)
◆附件請至http://vendor.itri.org.tw下載規格或e-mail洽採購承辦人索取電子
檔附件；報價請將附件一併簽回。
★本案決標方式：貴公司之報價，將作為比價之依據，請報最優惠價格。本院將逕
與資格/規格合於規定，且報價最低之廠商優先議價後，低於底價者決標。
◆投標廠商請加蓋報價章並填寫統一編號：__________________________(必填)
傳真號碼：_____________________；聯絡人e-mail: _________________________
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1、預計交貨日期如上述需用日，無法配合者請註明您的交期為___年___月___日。
2、延遲交貨/裝運罰則：每逾一日罰成交總額之千分之1。罰款上限為成交總額百
分之20。(罰款未達100元者，以100元計)
3、交貨地點：工研院中興院區 新竹縣竹東鎮中興路四段195號
4、保固期：驗收合格後 ___ 個月。(請務必填寫)
5、若無法提供報價，請於本單上述明理由及簽章後，擲回承辦人。謝謝！
6、廠商之負責人、董事、獨立董事、監察人、經理人或相類似職務者，若為工研
院受規範之公職人員（包含工研院全體董事、監事、院長）或其關係人，依「公職
人員利益衝突迴避法」規定，除有第14條第1項但書情形者外，不得參包廠商。
7、本案不允許大陸地區廠商或其產品或勞務參與。
8、本院相關採購資訊，請參閱網址 https://vendor.itri.org.tw。
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| 承辦人：王佩茹
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聯絡電話：03-5916621
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| 地址：
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傳真：03-5162896
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