項次 | 料號 | 數量 | 單位 | 需用日 | 小計 |
| 品名規格 | | | 單價 | |
規格 | |
10 |
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1 |
LOT |
20230811 |
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| 電子零件與材料 | | |
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| 1. 高壓薄膜電容組(500uF, 500V, 125度) ‧電容/容差:550 μF ±10%, ‧電介質:金屬化高溫薄膜電容, ‧IGBT 端子處的 ESL:小於 8 nH ‧典型 ESR 與頻率的關係:20kHZ 時為 635μΩ, ‧工作溫度:-40°C 至 +125°C 2. 高壓薄膜電容組(135uF,900V,125度) ‧電容/容差:135 μF ±10%, ‧電介質:金屬化高溫薄膜電容, ‧IGBT 端子處的 ESL:小於 8 nH ‧典型 ESR 與頻率的關係:20kHZ 時為 850μΩ, ‧工作溫度:-40°C 至 +125°C
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